Diseño de un transistor de efecto campo empleando resina fotosensible como dieléctrico de compuerta

Abstract

Se presenta la fabricación y caracterización de un transistor de efecto de campo (FET) utilizando una resina polimérica fotosensible (RPF) como dieléctrico de compuerta. Esto se llevó a cabo en tres etapas. En primer lugar, se caracterizó la RPF para determinar su constante dieléctrica mediante un circuito RC, diseñando y fabricando capacitores sobre películas de ITO con técnicas de recubrimiento por rotación (spin coating), tratamiento térmico y fotolitografía. En la segunda etapa, se fabricaron FETs con láminas de ZnO/Si y BaSnO³/SrTiO³, empleando grabado químico (chemical etching) para definir el canal semiconductor y contactos de indio e hilos de oro para las terminales. Finalmente, se realizaron estudios eléctricos midiendo la corriente de drenaje en función de la tensión de drenaje y compuerta, ajustando los resultados a modelos MOSFET para determinar movilidad, tensión de umbral y otros parámetros característicos. Los FETs de ZnO presentaron comportamiento esperado, validando su potencial para aplicaciones electrónicas. En las láminas de BaSnO³ se identificaron desafíos en la caracterización, lo que sugiere la necesidad de optimizar las condiciones de fabricación. Este trabajo demuestra la viabilidad de la RPF de bajo costo para litografía óptica, como también su aplicación en la producción de dispositivos semiconductores en el rango nanométrico.